第264章 证明费马大定理卡壳(第2/5页)
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不过，从情报分析来看，目前西方发达国家的光刻机和芯片技术，也正处于高速增长期，所以必须在技术和人才的扩张速度上超过西方发达国家，才有可能真正赶超。
总装好的极光3号深紫外光光刻机由于一部分零部件的供应问题，最终设计的极限制程性能被限制在210纳米。
本来是可以实现arf准分子激光的,达到190纳米水平的，不过由于材料和部件的问题，最终arf准分子激光标准未能实现，所以，这算是阉割版。
只能等着极光3号改进型出来才能最终达到arf准分子激光。
按照李树对光刻机和芯片的升级进度表，目前慢了一步。
按照进度表，2000年奥运会前夕，振蓝深紫外光光刻机达到130纳米制程水平，芯片工艺达到奔腾3水平，第一次和世界商用芯片一流水平持平。
到2004年，达到70纳米制程水平，第一次成为世界性能最好的商用芯片。
2004年，也就是差不多10年后，是华夏芯片的分水岭，在李树的计划里，那一年华夏将彻底解决芯片被卡脖子的问题。
“李总，一切准备就绪，可以开始压力测试了。”研发部主管薛亦为提醒李树,才让李树从思绪中剥离出来。