osfet可以说是最常见的晶体管,几乎不需要通过输入电流来控制负载电流。

osfet多种多样,但是基本都能够分成两类,增强型和耗尽型。

然后这两种类型可以用作n沟道或者p沟道。

osfet是平面晶体管,而胡正明发明的ffet架构则是3d的晶体管,3d晶体管能够克服晶体管本身可能遭遇的短沟道效应。

简单来说ffet能以更低的成本实现更高的性能指标。ffet的设计主要为突破25n制程,解决osfet由于制程缩小伴随的隧穿效应。x33

当然从ffet这个架构2000年被胡正明提出,到2001年胡正明加入台积电作为首席专家,台积电在2002年12月才拿出第一个真正意义上的ffet晶体管。

而一直到了2012年商用22n的ffet架构的晶体管才面世。

这是一个非常漫长的过程。

周新要讲的是osfet架构的某一种优化。

带有些许的ffet架构思想在其中。